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SIR401DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 50 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 100+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 500+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 1000+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 5000+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR401DP-T1-GE3
库存编号2283664
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0032ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散39W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SIR401DP-T1-GE3 是一款-20V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于适配器和电池开关应用。P沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0032ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272