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SIR402DP-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.050 (CNY9.0965) |
| 10+ | CNY6.770 (CNY7.6501) |
| 100+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 500+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
| 1000+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 5000+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR402DP-T1-E3
库存编号1684086
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.006ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.15V
功率耗散4.2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
The SIR402DP-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, DC-to-DC point-of-load and server applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.006ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.15V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004