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SIR4604DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 49.3 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY8.990 (CNY10.1587) |
| 100+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 500+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 1000+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
| 5000+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR4604DP-T1-GE3
库存编号4014715
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续49.3A
漏源接通状态电阻0.0079ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散41.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
49.3A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0079ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363