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SIR580DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 146 A, 2700 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR580DP-T1-RE3
库存编号3765820
产品范围TrenchFET Gen V
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续146A
漏源接通状态电阻2700µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
N-channel 80V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
146A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
2700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
SIR580DP-T1-RE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001