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SIR632DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 29 A, 0.0345 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR632DP-T1-RE3
库存编号2729837RL
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续29A
漏源接通状态电阻0.0345ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散69.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围ThunderFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
N-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
29A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0345ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
ThunderFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001