打印页面
SIR873DP-T1-GE3
场效应管, MOSFET, P沟道, -150V, -37A, POWERPAK SO
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
8,774 有货
需要更多？
5790 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
10 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
500 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
2474 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.520 (CNY14.1476) |
| 10+ | CNY9.370 (CNY10.5881) |
| 100+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 500+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
| 1000+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY12.52 (CNY14.15 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR873DP-T1-GE3
库存编号2913407
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续37A
漏源接通状态电阻0.0475ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散104W
产品范围TrenchFET Series
合规-
MSL-
技术规格
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0475ohm
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
合规
-
电流, Id 连续
37A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值
4V
产品范围
TrenchFET Series
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001052