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SIRA01DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
| 50+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 100+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 500+ | CNY3.940 (CNY4.4522) |
| 1500+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRA01DP-T1-GE3
库存编号2846630
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.0041ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散62.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0041ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074