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SIRA26DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 60 A, 0.00265 ohm, PowerPAK SO-8S, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 10+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 100+ | CNY2.130 (CNY2.4069) |
| 500+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 1000+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 5000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRA26DP-T1-RE3
库存编号4246976
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.00265ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8S
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散43.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8S
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
43.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.00265ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001