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SIRA32DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 185 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8S, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.010 (CNY10.1813) |
| 10+ | CNY6.250 (CNY7.0625) |
| 100+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
| 500+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 1000+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 5000+ | CNY3.440 (CNY3.8872) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
185A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8S
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.0012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.000074