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SIRA60DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY8.420 (CNY9.5146) |
| 100+ | CNY6.380 (CNY7.2094) |
| 500+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 1000+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
| 5000+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
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产品概述
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in synchronous rectification, high power density DC/DC and VRMs and embedded DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
940µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIRA60DP-T1-GE3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002