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SIRB40DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
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| 100+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
| 500+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
| 1000+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 5000+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRB40DP-T1-GE3
库存编号3772837
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道0.0027ohm
漏源导通电阻P沟道0.0027ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道46.2W
耗散功率P沟道46.2W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
0.0027ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
46.2W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
0.0027ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
46.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001