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SIS443DN-T1-GE3
场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -35A, 150度 C, 52W
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.670 (CNY14.3171) |
| 10+ | CNY9.230 (CNY10.4299) |
| 100+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 500+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 1000+ | CNY4.910 (CNY5.5483) |
| 5000+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
P Channel
漏源接通状态电阻
0.0117ohm
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
电流, Id 连续
35A
Rds(on)测试电压
10V
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536