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SIS9446DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS9446DN-T1-GE3
库存编号4241532RL
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道34A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0098ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
34A
漏源通态电阻N沟道
0.0098ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
SIS9446DN-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074