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SISA96DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 10+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 100+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 500+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 1000+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 5000+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
26.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SISA96DN-T1-GE3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005