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SISD5300DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.110 (CNY18.2043) |
| 10+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 100+ | CNY7.760 (CNY8.7688) |
| 500+ | CNY6.170 (CNY6.9721) |
| 1000+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 5000+ | CNY5.000 (CNY5.650) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
198A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
870µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074