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SISHA06DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.880 (CNY11.1644) |
| 10+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 100+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 500+ | CNY3.590 (CNY4.0567) |
| 1000+ | CNY3.170 (CNY3.5821) |
| 5000+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
104A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-8SH
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.00001