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SISS27ADN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 50 A, 0.0051 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 10+ | CNY5.490 (CNY6.2037) |
| 100+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 500+ | CNY3.180 (CNY3.5934) |
| 1000+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 5000+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS27ADN-T1-GE3
库存编号3772845
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0051ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散57W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen III
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0051ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001