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SIUD402ED-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
| 10+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 100+ | CNY0.732 (CNY0.8272) |
| 500+ | CNY0.718 (CNY0.8113) |
| 1000+ | CNY0.633 (CNY0.7153) |
| 5000+ | CNY0.548 (CNY0.6192) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIUD402ED-T1-GE3
库存编号3929250
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻0.73ohm
晶体管封装类型PowerPAK 0806
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
PowerPAK 0806
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.73ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001