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SIZ250DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ250DT-T1-GE3
库存编号3280636RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续38A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.01007ohm
连续漏极电流 Id N沟道38A
连续漏极电流 Id P沟道38A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.01007ohm
漏源导通电阻P沟道0.01007ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
功耗 Pd33W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
38A
在电阻RDS（上）
0.01007ohm
连续漏极电流 Id P沟道
38A
漏源通态电阻N沟道
0.01007ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
38A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.01007ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
33W
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123