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SIZ256DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ256DT-T1-GE3
库存编号3605913RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds70V
漏源电压Vds N沟道70V
电流, Id 连续31.8A
漏源电压Vds P沟道70V
连续漏极电流 Id N沟道31.8A
在电阻RDS（上）0.0137ohm
连续漏极电流 Id P沟道31.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.0137ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值1.5V
功耗 Pd33W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
70V
电流, Id 连续
31.8A
连续漏极电流 Id N沟道
31.8A
连续漏极电流 Id P沟道
31.8A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0137ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
70V
漏源电压Vds P沟道
70V
在电阻RDS（上）
0.0137ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
33W
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005