打印页面
SIZ320DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
50 有货
需要更多？
50 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.740 (CNY11.0062) |
| 10+ | CNY6.120 (CNY6.9156) |
| 100+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 500+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
| 1000+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
| 5000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY9.74 (CNY11.01 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
SIZ320DT-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
0.00353ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074