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SIZ340ADT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
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| 10+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 100+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 500+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 1000+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 5000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ340ADT-T1-GE3
库存编号3397316
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道69.7A
连续漏极电流 Id P沟道69.7A
漏源通态电阻N沟道0.00357ohm
漏源导通电阻P沟道0.00357ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ340ADT-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
69.7A
漏源导通电阻P沟道
0.00357ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
31W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
69.7A
漏源通态电阻N沟道
0.00357ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001