打印页面
SIZ340ADT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
6,732 有货
需要更多？
6732 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 500+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 1000+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 5000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY408.00 (CNY461.04 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ340ADT-T1-GE3
库存编号3397316RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续69.7A
在电阻RDS（上）0.00357ohm
连续漏极电流 Id N沟道69.7A
连续漏极电流 Id P沟道69.7A
漏源通态电阻N沟道0.00357ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.00357ohm
阈值栅源电压最大值2.4V
晶体管封装类型PowerPAIR
功耗 Pd31W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ340ADT-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.00357ohm
连续漏极电流 Id P沟道
69.7A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.00357ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
31W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
69.7A
连续漏极电流 Id N沟道
69.7A
漏源通态电阻N沟道
0.00357ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
31W
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001