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SIZ340ADT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
| 500+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 1000+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 5000+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ340ADT-T1-GE3
库存编号3397316RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续69.7A
连续漏极电流 Id N沟道69.7A
在电阻RDS（上）0.00357ohm
连续漏极电流 Id P沟道69.7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3570µohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道3570µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
功耗 Pd31W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ340ADT-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
69.7A
连续漏极电流 Id P沟道
69.7A
漏源通态电阻N沟道
3570µohm
漏源导通电阻P沟道
3570µohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
31W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
69.7A
在电阻RDS（上）
0.00357ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
31W
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001