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SIZ340DDT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 63 A, 0.0092 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.980 (CNY7.8874) |
| 10+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 100+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 500+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 5000+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
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多件: 1
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
63A
漏源通态电阻N沟道
0.0092ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001