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SIZ918DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ918DT-T1-GE3
库存编号2283687RL
技术数据表
晶体管极性N沟道+肖特基
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续28A
连续漏极电流 Id N沟道28A
在电阻RDS（上）0.01ohm
连续漏极电流 Id P沟道28A
漏源通态电阻N沟道0.01ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.01ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数10引脚
功耗 Pd100W
耗散功率N沟道100W
耗散功率P沟道100W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SIZ918DT-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于笔记本电脑系统电源, POL和同步降压转换器应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
- 100％ Rg和UIS测试
技术规格
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
28A
连续漏极电流 Id P沟道
28A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.01ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
100W
耗散功率P沟道
100W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
28A
在电阻RDS（上）
0.01ohm
漏源通态电阻N沟道
0.01ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
10引脚
耗散功率N沟道
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012