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SIZ988DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0028ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
SIZ988DT-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074