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SIZF4800LDT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF4800LDT-T1-GE3
库存编号4241536RL
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道36A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
晶体管封装类型PowerPAIR 3 x 3FS
针脚数12引脚
耗散功率N沟道56.8W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR 3 x 3FS
耗散功率N沟道
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
36A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074