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SIZF5300DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 2020 µohm
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|---|---|
| 1+ | CNY13.430 (CNY15.1759) |
| 10+ | CNY11.200 (CNY12.656) |
| 100+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 500+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 1000+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
| 5000+ | CNY7.340 (CNY8.2942) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF5300DT-T1-GE3
库存编号4006713
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道125A
连续漏极电流 Id P沟道125A
漏源通态电阻N沟道2020µohm
漏源导通电阻P沟道2020µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数12引脚
耗散功率N沟道56.8W
耗散功率P沟道56.8W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
125A
漏源导通电阻P沟道
2020µohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
56.8W
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
125A
漏源通态电阻N沟道
2020µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001