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SIZF640DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 159 A, 159 A, 1000 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.260 (CNY31.9338) |
| 10+ | CNY18.230 (CNY20.5999) |
| 100+ | CNY13.470 (CNY15.2211) |
| 500+ | CNY11.940 (CNY13.4922) |
| 1000+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF640DT-T1-GE3
库存编号4006715
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道159A
连续漏极电流 Id P沟道159A
漏源通态电阻N沟道1000µohm
漏源导通电阻P沟道1000µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数9引脚
耗散功率N沟道62.5W
耗散功率P沟道62.5W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
159A
漏源导通电阻P沟道
1000µohm
针脚数
9引脚
耗散功率P沟道
62.5W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
159A
漏源通态电阻N沟道
1000µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001