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SQ1902AEL-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ1902AEL-T1_GE3
库存编号3470701RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续780mA
在电阻RDS（上）0.345ohm
连续漏极电流 Id N沟道780mA
连续漏极电流 Id P沟道780mA
漏源通态电阻N沟道0.345ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.345ohm
晶体管封装类型SC-70
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd430mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道430mW
耗散功率P沟道430mW
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.345ohm
连续漏极电流 Id P沟道
780mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.345ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
430mW
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
780mA
连续漏极电流 Id N沟道
780mA
漏源通态电阻N沟道
0.345ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-70
功耗 Pd
430mW
耗散功率N沟道
430mW
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001