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SQ1912AEEH-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 10+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 100+ | CNY2.130 (CNY2.4069) |
| 500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 1000+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 5000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ1912AEEH-T1_GE3
库存编号3470705
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道800mA
连续漏极电流 Id P沟道800mA
漏源通态电阻N沟道0.2ohm
漏源导通电阻P沟道0.2ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
漏源导通电阻P沟道
0.2ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.2ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001