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SQ1922AEEH-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
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|---|---|
| 100+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 500+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 1000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 5000+ | CNY0.987 (CNY1.1153) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ1922AEEH-T1_GE3
库存编号3104164RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续850mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.21ohm
连续漏极电流 Id N沟道850mA
连续漏极电流 Id P沟道850mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.21ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.21ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2V
针脚数6引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
850mA
在电阻RDS（上）
0.21ohm
连续漏极电流 Id P沟道
850mA
漏源通态电阻N沟道
0.21ohm
漏源导通电阻P沟道
0.21ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
850mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009