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SQ3987EV-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ3987EV-T1_GE3
库存编号2932988RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3A
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd1.67W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.67W
耗散功率P沟道1.67W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3A
连续漏极电流 Id N沟道
3A
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.67W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSOP
功耗 Pd
1.67W
耗散功率N沟道
1.67W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003