打印页面
SQ4282EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4282EY-T1_GE3
库存编号3929246RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.01ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.01ohm
漏源导通电阻P沟道0.01ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd3.9W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.9W
耗散功率P沟道3.9W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.01ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.01ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.9W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.01ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
3.9W
耗散功率N沟道
3.9W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001