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SQ4284EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0112 ohm
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| 100+ | CNY7.540 (CNY8.5202) |
| 500+ | CNY7.140 (CNY8.0682) |
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| 5000+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4284EY-T1_GE3
库存编号3772859
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.0112ohm
漏源导通电阻P沟道0.0112ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.9W
耗散功率P沟道3.9W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.0112ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.9W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0112ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.9W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SQ4284EY-T1_GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001