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SQJ142EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 167 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 10+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 100+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 500+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 1000+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 5000+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ142EP-T1_GE3
库存编号3586076
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续167A
漏源接通状态电阻0.0028ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散191W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
167A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
191W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001