打印页面
SQJ190ELP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
520 有货
需要更多？
520 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 10+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 100+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 500+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 1000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 5000+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY5.76 (CNY6.51 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ190ELP-T1_GE3
库存编号4260743
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续19.6A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散45W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074