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SQJ560EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY10.300 (CNY11.639) |
| 10+ | CNY8.430 (CNY9.5259) |
| 100+ | CNY6.550 (CNY7.4015) |
| 500+ | CNY5.550 (CNY6.2715) |
| 1000+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 5000+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ560EP-T1_GE3
库存编号3019154
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0099ohm
漏源导通电阻P沟道0.0099ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0099ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0099ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001