打印页面
SQJ951EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,404 有货
需要更多？
10 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
4394 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.050 (CNY11.3565) |
| 10+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 100+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
| 500+ | CNY5.430 (CNY6.1359) |
| 1000+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.05 (CNY11.36 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ951EP-T1_GE3
库存编号3772869
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道56W
耗散功率P沟道56W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
56W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
56W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001