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SQJ963EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.067 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.380 (CNY20.7694) |
| 10+ | CNY12.010 (CNY13.5713) |
| 100+ | CNY8.350 (CNY9.4355) |
| 500+ | CNY5.690 (CNY6.4297) |
| 1000+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 5000+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ963EP-T1_GE3
库存编号3772872
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.067ohm
漏源导通电阻P沟道0.067ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道27W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.067ohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
27W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.067ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001