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SQJB02ELP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 30 A, 0.006 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.330 (CNY11.6729) |
| 10+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 100+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 500+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
| 1000+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
| 5000+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB02ELP-T1_GE3
库存编号4246808
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.006ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.006ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074