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SQJQ900E-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ900E-T1_GE3
库存编号3772876RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续100A
连续漏极电流 Id N沟道100A
在电阻RDS（上）0.0034ohm
连续漏极电流 Id P沟道100A
漏源通态电阻N沟道0.0034ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0034ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值2V
针脚数4引脚
功耗 Pd75W
耗散功率N沟道75W
耗散功率P沟道75W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
100A
连续漏极电流 Id P沟道
100A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
75W
耗散功率P沟道
75W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
100A
在电阻RDS（上）
0.0034ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0034ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0034ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
4引脚
耗散功率N沟道
75W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001