打印页面
SQS201CENW-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK 1212-8W, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,103 有货
需要更多？
2103 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.980 (CNY9.0174) |
| 10+ | CNY5.360 (CNY6.0568) |
| 100+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 500+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 1000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 5000+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.98 (CNY9.02 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQS201CENW-T1_GE3
库存编号4349360
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续16A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212-8W
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压-4.5V
阈值栅源电压最大值-2.5V
功率耗散62.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-8W
Rds(on)测试电压
-4.5V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013