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SQS850EN-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 12 A, 0.0215 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
| 100+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
| 500+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 1000+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
| 5000+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0215ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001