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SUG90090E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 100 A, 9500 µohm, TO-247, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 1+ | CNY38.730 (CNY43.7649) |
| 10+ | CNY22.410 (CNY25.3233) |
| 100+ | CNY20.360 (CNY23.0068) |
| 500+ | CNY18.970 (CNY21.4361) |
| 1000+ | CNY17.580 (CNY19.8654) |
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SUG90090E-GE3
库存编号2747695
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻9500µohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散395W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围ThunderFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
395W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
9500µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
ThunderFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0061