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产品概述
TP0610K-T1-E3 是一款60VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于继电器, 螺线管, 灯, 锤子, 显示器, 晶体管和存储器驱动器等。
- 低导通电阻
- 高压侧开关
- 低阈值
- 20ns 快速开关速度
- 20pF 输入电容
- 2000V 静电保护
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
185mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
TP0610K-T1-E3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000185