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TSFF5210
红外发射器, 高速, 870 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 25+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 50+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 100+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 500+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号TSFF5210
库存编号1652531
技术数据表
波长峰值870nm
半强角度10°
二极管封装类型T-1 3/4 (5mm)
辐射强度 (Ie)15mW/Sr
上升时间15ns
衰减时间 tf15ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围Compute Module 3+ Series
MSL-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
The TSFF5210 is a 870nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, smoke-automatic fire detectors.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±10° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
波长峰值
870nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
MSL
-
半强角度
10°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.5V
工作温度最高值
85°C
产品范围
Compute Module 3+ Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363