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TSHG5510
红外发射器, 高速, 830 nm, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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产品概述
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
峰值波长
830nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
38°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.45V
工作温度最高值
85°C
产品范围
Compute Module 3+ Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454