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TSHG6200
红外发射器, 高速, 850 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 20 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.120 (CNY8.0456) |
| 25+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
| 50+ | CNY5.940 (CNY6.7122) |
| 100+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 500+ | CNY4.560 (CNY5.1528) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号TSHG6200
库存编号1703549
技术数据表
波长峰值850nm
半强角度10°
二极管封装类型T-1 3/4 (5mm)
辐射强度 (Ie)20mW/Sr
上升时间20ns
衰减时间 tf13ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The TSHG6200 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras and high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- ±10° Angle of half intensity
技术规格
波长峰值
850nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
20ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
MSL
-
半强角度
10°
辐射强度 (Ie)
20mW/Sr
衰减时间 tf
13ns
正向电压 Vf 最大值
1.5V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363