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TSTA7100
红外发射器, 875 nm, 5 °, TO-18, 600 mW/Sr, 600 ns
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产品概述
The TSTA7100 is a 875nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs technology with lens. It is suitable for use in radiation source near infrared range.
- Hermetically sealed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±5° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
技术规格
峰值波长
875nm
二极管封装类型
TO-18
上升时间
600ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
5°
辐射强度 (Ie)
600mW/Sr
衰减时间 tf
-
正向电压 Vf 最大值
1.4V
工作温度最高值
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000336